Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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2N2904. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 20. Corrente del collettore: 0.6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 10:25.

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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Corrente del collettore: 0.6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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