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Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V - 2N2904

Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V - 2N2904
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Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V - 2N2904. Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 20. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 200 ns. Tf(min): 175 ns. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Prodotto originale del produttore Tungsram. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 21:25.

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Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V
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Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: transistor a commutazione. Guadagno hFE massimo: 120. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.6W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V
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