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Transistor NPN, 0.7A, 80V - KSA931

Transistor NPN, 0.7A, 80V - KSA931
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Transistor NPN, 0.7A, 80V - KSA931. Transistor NPN, 0.7A, 80V. Corrente del collettore: 0.7A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: NF/S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: Altezza 9 mm. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Korea Electronics Semi.. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 03:25.

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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Processo PCT. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2235-Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: Processo PCT. Guadagno hFE massimo: 240. Guadagno hFE minimo: 80. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SC2235-Y. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Tipo epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: B647. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD667. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Marcatura sulla cassa: B647. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.9W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SD667. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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