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Transistor NPN, 12A, 600V - 2SC5048

Transistor NPN, 12A, 600V - 2SC5048
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Transistor NPN, 12A, 600V - 2SC5048. Transistor NPN, 12A, 600V. Corrente del collettore: 12A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 600V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Vce(sat) 3V. Nota: Monitor HA (F). Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: VEBO 5V. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Prodotto originale del produttore Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: ISOWATT218FX. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-218-FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: FAST-SWITCH. Guadagno hFE massimo: 7. Guadagno hFE minimo: 4.5. Ic(impulso): 18A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V
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Transistor NPN, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PFM. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Uscita di deflessione orizzontale. Guadagno hFE massimo: 30. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 24A. Marcatura sulla cassa: C5449. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Spec info: Commutazione ad alta velocità. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tf(massimo): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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