Transistor a canale P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.88€ | 1.07€ |
| 5 - 9 | 0.83€ | 1.01€ |
| 10 - 24 | 0.81€ | 0.99€ |
| 25 - 49 | 0.79€ | 0.96€ |
| 50 - 99 | 0.77€ | 0.94€ |
| 100 - 249 | 0.75€ | 0.92€ |
| 250+ | 0.72€ | 0.88€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.88€ | 1.07€ |
| 5 - 9 | 0.83€ | 1.01€ |
| 10 - 24 | 0.81€ | 0.99€ |
| 25 - 49 | 0.79€ | 0.96€ |
| 50 - 99 | 0.77€ | 0.94€ |
| 100 - 249 | 0.75€ | 0.92€ |
| 250+ | 0.72€ | 0.88€ |
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Transistor a canale P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120. Transistor a canale P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=25°C): 5.6A. Idss (massimo): 5.6A. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 100V. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 3.6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Rds sulla resistenza attiva: 0.6 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.
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Transistor a canale P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
Transistor a canale P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 350pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 100 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 26A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 28 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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