Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.59€ | 5.60€ |
5 - 9 | 4.36€ | 5.32€ |
10 - 24 | 4.13€ | 5.04€ |
25 - 49 | 3.90€ | 4.76€ |
50 - 53 | 3.81€ | 4.65€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.59€ | 5.60€ |
5 - 9 | 4.36€ | 5.32€ |
10 - 24 | 4.13€ | 5.04€ |
25 - 49 | 3.90€ | 4.76€ |
50 - 53 | 3.81€ | 4.65€ |
Transistor a canale N, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V - SPP11N60S5. Transistor a canale N, 7A, 11A, 250uA, 0.34 Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.34 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1460pF. Costo): 610pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 650ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 22A. ID (min): 25uA. Marcatura sulla cassa: 11N60S5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 150 ns. Td(acceso): 130 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 3.5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.
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