Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V - SPP04N60C3

Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V - SPP04N60C3
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1 - 4 2.72€ 3.32€
5 - 9 2.58€ 3.15€
10 - 24 2.45€ 2.99€
25 - 49 2.31€ 2.82€
50 - 50 2.26€ 2.76€
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Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V - SPP04N60C3. Transistor a canale N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 85m Ohms, TO-220, TO-220-3-1, 650V. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 85m Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220-3-1. Voltaggio Vds(max): 650V. C(in): 490pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 300 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 04N60C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 58.5 ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Eccezionale capacità dv/dt. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.

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