Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor FET e MOSFET a canale N

Transistor a canale N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113

Transistor a canale N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113
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2 - 2 6.13€ 7.48€
3 - 4 5.80€ 7.08€
5 - 6 5.48€ 6.69€
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Transistor a canale N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v - Q67042-S4113. Transistor a canale N, 80A, 100uA, 5M Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2930pF. Costo): 1150pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 50 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 380A. ID (min): 0.1uA. Marcatura sulla cassa: 2N03L04. Pd (dissipazione di potenza, massima): 188W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 54 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1.2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Enhancement mode, Logic Level. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 05:25.

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IRLB8743PBF

IRLB8743PBF

Transistor a canale N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID...
IRLB8743PBF
Transistor a canale N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
IRLB8743PBF
Transistor a canale N, 100A, 150A, 100uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: High Frequency Synchronous. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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1.85€ IVA incl.
(1.52€ Iva esclusa)
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IRLB8748PBF

IRLB8748PBF

Transistor a canale N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID...
IRLB8748PBF
Transistor a canale N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Protezione GS: NINCS
IRLB8748PBF
Transistor a canale N, 100A, 150A, 150uA, 2.5M Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 150A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.5M Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 5110pF. Costo): 960pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 29 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: UPS, Convertitore CC/CC. Id(imp): 620A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 25 ns. Td(acceso): 23 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Tensione gate/source (spenta) min.: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Protezione GS: NINCS
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STP80NF55-08

STP80NF55-08

Transistor a canale N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T...
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Transistor a canale N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: controllo motore, amplificatore audio. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
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Transistor a canale N, 57A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Funzione: controllo motore, amplificatore audio. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
Set da 1
4.60€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 99
STP80NF06

STP80NF06

Transistor a canale N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T...
STP80NF06
Transistor a canale N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P80NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
STP80NF06
Transistor a canale N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0065 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 3850pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 80 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P80NF06. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 70 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 50. Protezione GS: NINCS
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2.89€ IVA incl.
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FQP13N10
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FQP13N10
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(2.16€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 153
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IRFZ44N
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IRFZ44N
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BTA16-600BW

IT(RSM) (TC=85°C): 16A. È M: 160A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-22...
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BTA16-600BW
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STP80NF70

STP80NF70

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Nota: 28p...
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051-0907-02
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Quantità in magazzino : 137
IRF3808

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Transistor a canale N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID ...
IRF3808
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TIP122

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TIP122
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TIP122
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(0.64€ Iva esclusa)
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Quantità in magazzino : 150
BTB12-600BW

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BTB12-600BW
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BTB12-600BW
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STGP10NC60KD

STGP10NC60KD

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STGP10NC60KD
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