Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF610B
| Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.67€ | 0.82€ |
| 5 - 9 | 0.64€ | 0.78€ |
| 10 - 24 | 0.60€ | 0.73€ |
| 25 - 49 | 0.57€ | 0.70€ |
| 50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
| 100 - 249 | 0.54€ | 0.66€ |
| 250+ | 0.52€ | 0.63€ |
| Qnéuantità | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.67€ | 0.82€ |
| 5 - 9 | 0.64€ | 0.78€ |
| 10 - 24 | 0.60€ | 0.73€ |
| 25 - 49 | 0.57€ | 0.70€ |
| 50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
| 100 - 249 | 0.54€ | 0.66€ |
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Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF610B. Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 3.3A, 1.16 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 3.3A. Rds sulla resistenza attiva: 1.16 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: VGS @10V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 21:25.
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Transistor a canale N, 2.1A, 3.3A, 250uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.5 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 140pF. Costo): 53pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 14 ns. Td(acceso): 8.2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS
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