Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

B500C5000A

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B500C5000A. VRRM: 500V. Corrente diretta (AV): 5A. Do: 15pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: C5000/3300A, RS505. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 40x21.7x6.5mm. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.

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B500C7000A

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Vrm: 500V. Corrente diretta (AV): 7A. IFSM: 150A. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7...
B500C7000A
Vrm: 500V. Corrente diretta (AV): 7A. IFSM: 150A. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 32x17x5.6mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V
B500C7000A
Vrm: 500V. Corrente diretta (AV): 7A. IFSM: 150A. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 32x17x5.6mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V
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KBU6J

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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 6A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semicondutto...
KBU6J
VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 6A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 6A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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KBL06

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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 4A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semicondutto...
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VRRM: 400V. Corrente diretta (AV): 10A. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di di...
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VRRM: 600V. Corrente diretta (AV): 1A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semicondutto...
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