Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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B500C5000A

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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 1.68€ 2.05€
5 - 9 1.59€ 1.94€
10 - 24 1.51€ 1.84€
25 - 35 1.42€ 1.73€
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B500C5000A. Do: 15pF. Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 5A. IFSM: 30A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: C5000/3300A, RS505. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 40x21.7x6.5mm. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 500V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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B500C7000A

B500C7000A

Corrente diretta (AV): 7A. IFSM: 150A. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. R...
B500C7000A
Corrente diretta (AV): 7A. IFSM: 150A. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 32x17x5.6mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Vrm: 500V
B500C7000A
Corrente diretta (AV): 7A. IFSM: 150A. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 4. Passo: 10x7.5x7.5mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Custodia (secondo scheda tecnica): 32x17x5.6mm. Temperatura di funzionamento: -50...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. Vrm: 500V
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KBU6J

KBU6J

Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
KBU6J
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
KBU6J
Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzatore. Corrente diretta (AV): 6A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 10uA. Equivalenti: KBU6J, KBU606, RS605. Passo: 5.08x5.08mm. Dimensioni: 23x19x6mm. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SIP / SIL. Temperatura di funzionamento: -55...+125°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 600V. Quantità per scatola: 4. Numero di terminali: 4. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms)
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Corrente continua massima: 3.15A. Voltaggio: 250V. Passo: 5.1mm. Dimensioni: 8.5x8mm. RoHS: sì...
RFT-3-15A
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RFT-3-15A
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KBL06

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ponte raddrizzat...
KBL06
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KBL06
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RBV406

RBV406

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RBV406
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TL494CN

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Tensione di ingresso minima (V): +7V. Tensione massima in ingresso (V): +40V. Alloggiamento: DIP-16....
TL494CN
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GBI10G

GBI10G

Quantità per scatola: 4. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. ...
GBI10G
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S1WBS60

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Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A....
S1WBS60
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MOF1145JAFSR750

MOF1145JAFSR750

Resistenza: 0.75 Ohms. Potenza: 2W. Tolleranza: 5%. Dimensioni: 5x15.5mm. Tensione operativa massima...
MOF1145JAFSR750
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MOF1145JAFSR750
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1N4007

1N4007

VRRM: 1000V. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semi...
1N4007
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1N4007
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