Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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UF4003

UF4003
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1 - 1 1.03€ 1.26€
2 - 2 0.98€ 1.20€
3 - 4 0.93€ 1.13€
5 - 9 0.88€ 1.07€
10 - 24 0.82€ 1.00€
25 - 47 0.77€ 0.94€
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2 - 2 0.98€ 1.20€
3 - 4 0.93€ 1.13€
5 - 9 0.88€ 1.07€
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25 - 47 0.77€ 0.94€
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Set da 10

UF4003. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 00:25.

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Prodotti equivalenti :

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UF4006

UF4006

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF4006
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
UF4006
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 800V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
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UF4007

UF4007

Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF4007
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
UF4007
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..50uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 75 ns. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -50°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.7V @ 1A
Set da 10
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BYV26C

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Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: si...
BYV26C
Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
BYV26C
Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 30 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Ripristino graduale rapido". Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: SOD-57 ( Glass ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOD-57 Glass. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 2.5V. Tensione diretta Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms
Set da 1
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(0.51€ Iva esclusa)
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SUF4003

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Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale sem...
SUF4003
Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
SUF4003
Condizionamento: rotolo. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 50 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast silicon rectifier diode. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: DO-213. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1V. Tensione diretta Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
Set da 10
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UF4005

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Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio ...
UF4005
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
UF4005
Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 1A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: GI-S
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(8.69€ Iva esclusa)
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Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: s...
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FRN01WK0101A10

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Resistenza: 100 Ohms. Potenza: 1W. Tipo di resistore: resistenza fusibile. Stabilità della temperat...
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