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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - STB1277Y

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - STB1277Y
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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v - STB1277Y. Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 170 MHz. Funzione: Amplificatore di media potenza. Guadagno hFE massimo: 390. Guadagno hFE minimo: 82. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Spec info: transistor complementare (coppia) STD1862. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Auk Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 18:25.

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Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. ...
KSA928A-Y
Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: 9mm. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V
KSA928A-Y
Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92M ( 9mm ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 120 MHz. Funzione: 9mm. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: Samsung>> STB1277. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V
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