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Transistor NPN, 0.5A, 30 v - MPSA13

Transistor NPN, 0.5A, 30 v - MPSA13
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Transistor NPN, 0.5A, 30 v - MPSA13. Transistor NPN, 0.5A, 30 v. Corrente del collettore: 0.5A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 10000. Guadagno hFE minimo: 5000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. Tecnologia: transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 20:25.

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Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 10000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
MPSA14
Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente del collettore: 500mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 125 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 10000. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor Darlington. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Numero di terminali: 3. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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