Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V - MJW3281AG

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V - MJW3281AG
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Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V - MJW3281AG. Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 230V. Costo): 2.8pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Data di produzione: 201444 201513. Guadagno hFE massimo: 200. Guadagno hFE minimo: 50. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Tecnologia: Transistor bipolare di potenza. Spec info: transistor complementare (coppia) MJW1302A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 260V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 30 MHz. Funzione: Transistor di potenza bipolare complementare. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 45. Ic(impulso): 25A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) MJL1302A. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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