Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V - KSB1366GTU

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V - KSB1366GTU
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1 - 4 1.82€ 2.22€
5 - 9 1.73€ 2.11€
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25 - 49 1.64€ 2.00€
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V - KSB1366GTU. Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 9 MHz. Guadagno hFE massimo: 320. Guadagno hFE minimo: 150. Marcatura sulla cassa: B1366-G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) KSD2012. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon PNP Triple Diffused Type. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.

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Esaurito
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2SD2012

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Cu...
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Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Marcatura sulla cassa: D2012. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1366. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V
2SD2012
Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10R1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Marcatura sulla cassa: D2012. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 25W. Spec info: transistor complementare (coppia) 2SB1366. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V
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