Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V - D44H11

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V - D44H11
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Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V - D44H11. Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Costo): 130pF. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 20A. Marcatura sulla cassa: D44H11. Equivalenti: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) D45H11. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor epitassiale al silicio". Tf(massimo): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 05:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-220AB. Costo): TO-220AB. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 5V
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BD911-ST

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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Cust...
BD911-ST
Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
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Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF/L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD912. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN
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