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Transistor NPN, 15A, 150V - BUV27A

Transistor NPN, 15A, 150V - BUV27A
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Transistor NPN, 15A, 150V - BUV27A. Transistor NPN, 15A, 150V. Corrente del collettore: 15A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 150V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: S-L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 14:25.

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Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 250 ns. Tf(min): 120ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BUV27
Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Corrente del collettore: 12A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 120V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Velocità di commutazione rapida. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 250 ns. Tf(min): 120ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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