Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - BSR16

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - BSR16
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Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V - BSR16. Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Funzione: hFE 50...300. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.35W. Spec info: serigrafia/codice CMS T8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 60V. Prodotto originale del produttore ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 05:25.

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Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Corrente del collettore: 0.6A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Diodo BE: NINCS. Costo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 200 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 1.2A. Marcatura sulla cassa: 2F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 225mW. RoHS: sì. Spec info: SMD '2F'. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V
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