Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 10A - BDV65BG

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 10A - BDV65BG
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 10A - BDV65BG. Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 10A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Corrente collettore Ic [A], max.: 10A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BDV65BG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.

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TIP142

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Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Costo): 60pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor Darlington di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza Darlington. C(in): 100V. Numero di terminali: 3. Resistenza BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP147. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
TIP142
Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Costo): 60pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor Darlington di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza Darlington. C(in): 100V. Numero di terminali: 3. Resistenza BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP147. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì
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