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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD437

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD437
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V - BD437. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD438. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 23:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento...
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-32. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD440. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-32. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 130. Guadagno hFE minimo: 20. Ic(impulso): 7A. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 36W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD440. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.8V
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