Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD135

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD135
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32) - BD135. Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Corrente del collettore: 1.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-126. Corrente collettore Ic [A], max.: 1.5A. Corrente del collettore: 1.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): SOT-32. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BD139. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Dissipazione massima Ptot [W]: 12.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN. Frequenza di taglio ft [MHz]: 50 MHz. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatori audio e applicazioni. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatori audio e applicazioni. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: da -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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