Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859B

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859B
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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - BC859B. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 475. Guadagno hFE minimo: 220. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3F. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: SMD 3F. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 08:25.

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BC857B

BC857B

Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 )...
BC857B
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3F. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V
BC857B
Transistor NPN, saldatura PCB (SMD), SOT-23, TO-236, 45V, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 45V. Corrente collettore Ic [A], max.: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: transistor PNP. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 3F. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.25W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.33W. Spec info: SMD KO0 3F. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V
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BC860C

BC860C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 0.1A. Allog...
BC860C
Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo BE: NINCS. C(in): 10pF. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Nota: transistor complementare (coppia) BC850C. Marcatura sulla cassa: 4g. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 4G. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 0.25W. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V
BC860C
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BC859C

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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Al...
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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3 G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 3G/4C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3 G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 3G/4C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V
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