BC859C
| Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.62€ | 0.76€ |
| 5 - 9 | 0.59€ | 0.72€ |
| 10 - 12 | 0.56€ | 0.68€ |
| Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.62€ | 0.76€ |
| 5 - 9 | 0.59€ | 0.72€ |
| 10 - 12 | 0.56€ | 0.68€ |
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BC859C. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3 G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 3G/4C. Quantità in stock aggiornata il 16/01/2025, 06:25.
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C(in): 10pF. Costo): 4.5pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 0.1A. Nota: transistor complementare (coppia) BC850C. Marcatura sulla cassa: 4g. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 0.25W. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 4G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
C(in): 10pF. Costo): 4.5pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 0.1A. Nota: transistor complementare (coppia) BC850C. Marcatura sulla cassa: 4g. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 0.25W. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 4G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3 G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice CMS 3G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 100mA. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3 G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice CMS 3G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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