BC860C

BC860C. C(in): 10pF. Costo): 4.5pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Corrente del collettore: 0.1A. Nota: transistor complementare (coppia) BC850C. Marcatura sulla cassa: 4g. Numero di terminali: 3. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Potenza: 0.25W. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.075V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 4G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 15/01/2025, 00:25.