Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 475. Guadagno hFE minimo: 220. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3B. Equivalenti: ON Semiconductor BC856BLT1G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 3B. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Nexperia. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 17:25.