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Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B
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Qnéuantità (Set da 10) Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 0.29€ 0.35€
5 - 9 0.27€ 0.33€
10 - 24 0.26€ 0.32€
25 - 49 0.24€ 0.29€
50 - 99 0.23€ 0.28€
100 - 149 0.21€ 0.26€
150 - 25159 0.20€ 0.24€
Qnéuantità (Set da 10) U.P
1 - 4 0.29€ 0.35€
5 - 9 0.27€ 0.33€
10 - 24 0.26€ 0.32€
25 - 49 0.24€ 0.29€
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Set da 10

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V - BC856B. Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 65V. Costo): 4.5pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 475. Guadagno hFE minimo: 220. Ic(impulso): 200mA. Marcatura sulla cassa: 3B. Equivalenti: ON Semiconductor BC856BLT1G. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.065V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/codice SMD 3B. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 12:25.

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