Transistor NPN, 120V, 0.5A, TO-39 - BC300
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Transistor NPN, 120V, 0.5A, TO-39 - BC300. Transistor NPN, 120V, 0.5A, TO-39. Tensione collettore-emettitore VCEO: 120V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-39. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.85W. Frequenza massima: 120MHz. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 21:25.
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-39, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3019. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V
Transistor NPN, saldatura PCB, TO-39, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-39. Corrente collettore Ic [A], max.: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. RoHS: sì. Custodia (standard JEDEC): TO-39. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: 2N3019. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 80V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 100 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.8W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Famiglia di componenti: transistor NPN. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V
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Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-39 ( TO-205 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-39. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 100 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Numero di terminali: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: transistor epitassiale planare . Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V
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