Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Semiconduttori Transistor Transistor bipolari PNP

Transistor NPN, 0.2A, 45V - BC213B

Transistor NPN, 0.2A, 45V - BC213B
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Qnéuantità (Set da 5) Iva esclusa IVA incl.
1 - 2 0.77€ 0.94€
3 - 4 0.73€ 0.89€
5 - 9 0.69€ 0.84€
10 - 19 0.68€ 0.83€
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Transistor NPN, 0.2A, 45V - BC213B. Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corrente del collettore: 0.2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Diodo CE: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Tipo di transistor: PNP. Prodotto originale del produttore Cdil. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 02:25.

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BC557C

BC557C

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Cust...
BC557C
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V
BC557C
Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. C(in): 10pF. Costo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 420. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC547C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.3V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.65V. Vebo: 5V
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BC547B

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BC337-25

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Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 0.8A. Alloggiamento: TO-92. Custod...
BC337-25
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BC337-40

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BC337-40
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1N4007

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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda te...
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CFR1-4W-1K

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Resistenza, 1k Ohms, 0.25W. Resistenza: 1k Ohms. Potenza: 0.25W. Tipo di resistore: strato di carbon...
CFR1-4W-1K
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BC547A

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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Corrente del collettore: 100mA. Alloggiament...
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BC559C

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Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente del collettore: 0.1A. Alloggiamento...
BC559C
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IRF3205

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Transistor a canale N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (...
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CFR0318JT-V1002

CFR0318JT-V1002

Resistenza, 10k Ohms, 0.25W. Resistenza: 10k Ohms. Potenza: 0.25W. Tolleranza: 5%. Resistenza (R): 1...
CFR0318JT-V1002
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CFR0318JT-V1002
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