Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V - BC109C

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V - BC109C
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Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V - BC109C. Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Corrente del collettore: 0.2A. Alloggiamento: TO-18 ( TO-206 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-18. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: uso generale. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.3W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.25V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.6V. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 18:25.

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BC547C

BC547C

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Cust...
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Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 270. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
BC547C
Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Alloggiamento: TO-92. Corrente del collettore: 100mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. RoHS: sì. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-92. Costo): TO-226. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 300 MHz. Funzione: uso generale. Guadagno hFE massimo: 800. Guadagno hFE minimo: 270. Ic(impulso): 200mA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Spec info: transistor complementare (coppia) BC557C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V
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VRRM: 1000V. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda te...
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