Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 80pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Applicazioni di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 35W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 3V. Quantità per scatola: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, 800V. Corrente del collettore: 10A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 80pF. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Quantità per scatola: 1. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, EMT6. Custodia (secondo scheda tecnica): EMT6. Marcatura sulla cassa: H21. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: *SMD SO6*. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 6. Nota: serigrafia/codice SMD H21

Transistor NPN, EMT6. Custodia (secondo scheda tecnica): EMT6. Marcatura sulla cassa: H9C. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: *SMD SO6*. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 6. Nota: serigrafia/codice SMD H9C

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente del collettore: 0.1A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 50V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: INFI->PANAS. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Costo): 120pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 180 MHz. Guadagno hFE massimo: 1200. Guadagno hFE minimo: 200. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2000. Funzione: transistor unigiunzione UJT, hi-beta, lo-sat. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX788. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX550. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 15pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 2A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.35V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX551. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Corrente del collettore: 300mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Costo): 5pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Costo): 50pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 240 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX753. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Funzione: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX790

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat)0,92V. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 20A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1