Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 25V. Diodo BE: NINCS. Costo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 240 MHz. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 6A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Costo): 30pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 175 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat) 0,9 V. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX753. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente del collettore: 2A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 45V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 150 MHz. Funzione: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1W. Spec info: transistor complementare (coppia) ZTX790. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Saturazione molto bassa VBE(sat)0,92V. Guadagno hFE massimo: 300. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 20A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.58W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(massimo): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V