Transistor bipolari NPN

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Condizionamento: rotolo. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Transistor di potenza a commutazione rapida ad alta tensione. Guadagno hFE massimo: 32. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 3A. Marcatura sulla cassa: N83003. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1V. Numero di terminali: 3. Unità di condizionamento: 1000. Spec info: transistor complementare (coppia) STN93003. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Costo): 215pF. Condizionamento: rotolo. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 130 MHz. Funzione: Transistor di potenza NPN a commutazione rapida a bassa tensione. Guadagno hFE massimo: 350. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 1000. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: HIGH SWITCH. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Quantità per scatola: 1. Spec info: Alta velocità. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corrente del collettore: 7A. Alloggiamento: ISOWATT218. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida ad alta tensione. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantità per scatola: 1

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 20000. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Resistenza BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Funzione: commutazione, amplificatore audio. Spec info: transistor complementare (coppia) Diodo TIP107. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 2A, 60V. Corrente del collettore: 2A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 4A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. RoHS: sì. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Nota: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente del collettore: 4A. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Costo): 2pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Tipo di transistor: NPN. Nota: >1000. Quantità per scatola: 1. Spec info: TO-220. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 5A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP120. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 60V. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 5A. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP122. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: silicio. Dissipazione massima Ptot [W]: 65W. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 5A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Resistenza B: sì. Resistenza BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(in): TO-220. Costo): 200pF. Condizionamento: tubo di plastica. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: +150°C. Guadagno hFE minimo: 1000. Ic(impulso): 8A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Funzione: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unità di condizionamento: 50. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP127G. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente collettore Ic [A], max.: 8A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. RoHS: sì. Famiglia di componenti: Transistor di potenza NPN Darlington. Custodia (standard JEDEC): TO-220AB. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP132. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 15000. Dissipazione massima Ptot [W]: 70W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 70W. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 4 v. Vebo: 5V. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP137

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Costo): 60pF. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor Darlington di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Resistenza B: transistor di potenza Darlington. C(in): 100V. Numero di terminali: 3. Resistenza BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP147. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 10A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: transistor Darlington di potenza complementare. Guadagno hFE massimo: 1000. Guadagno hFE minimo: 500. Ic(impulso): 20A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Darlington monolitico. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Resistenza BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP147T. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Corrente del collettore: 15A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Condizionamento: tubo di plastica. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: amplificatore audio. Guadagno hFE massimo: 70. Guadagno hFE minimo: 20. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 90W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 90W. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Nota: transistor complementare (coppia) TIP2955. Unità di condizionamento: 30. Spec info: Bassa tensione di saturazione collettore-emettitore

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 24. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 5A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP32C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-247, TO-247, 100V, 100V. Corrente del collettore: 25A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Data di produzione: 1450. Guadagno hFE massimo: 50. Guadagno hFE minimo: 25. Ic(impulso): 50A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.8V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 125W. Frequenza massima: 3MHz. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP36C

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-247, 25A. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247. Corrente collettore Ic [A], max.: 25A. RoHS: sì. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: TIP35CG. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 100V. Frequenza di taglio ft [MHz]: 3 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Famiglia di componenti: transistor di potenza NPN

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Costo): 80pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: transistor di potenza complementari. Guadagno hFE massimo: 75. Guadagno hFE minimo: 15. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 65W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP42C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100V, 6A, TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 65W. Frequenza massima: 3MHz

Transistor NPN, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 400V. Transistor Darlington?: NINCS. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Funzione: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Guadagno hFE massimo: 150. Guadagno hFE minimo: 30. Ic(impulso): 2A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 400V, 1A, TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 400V. Corrente del collettore: 1A. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 1W

Transistor NPN, 50V, 3A, TO-92. Tensione collettore-emettitore VCEO: 50V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-92. Tipo di transistor: transistor NPN. Polarità: NPN. Potenza: 0.75W. Frequenza massima: 90MHz

Transistor NPN, 18A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 18A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3PMLH. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Funzione: Ad alta velocità.. Guadagno hFE massimo: 15. Guadagno hFE minimo: 4. Ic(impulso): 35A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare triplo diffuso . Tf(massimo): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Diodo CE: sì

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 110pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Vbe(sat)1.5V. Guadagno hFE massimo: 10. Guadagno hFE minimo: 5. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: con resistenza di polarizzazione Rbe. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente del collettore: 6A. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FI. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 800V. Costo): 110pF. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Applicazioni di uscita con deflessione orizzontale per TV a colori. Guadagno hFE massimo: 8:1. Guadagno hFE minimo: 5. Ic(impulso): 15A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: "Transistor al silicio planare triplo diffuso". Tf(massimo): 0.3us. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensione di saturazione VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: con resistenza di polarizzazione Rbe. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS