Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34€ | 1.63€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.55€ |
10 - 24 | 1.21€ | 1.48€ |
25 - 49 | 1.14€ | 1.39€ |
50 - 99 | 1.11€ | 1.35€ |
100 - 112 | 0.95€ | 1.16€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34€ | 1.63€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.55€ |
10 - 24 | 1.21€ | 1.48€ |
25 - 49 | 1.14€ | 1.39€ |
50 - 99 | 1.11€ | 1.35€ |
100 - 112 | 0.95€ | 1.16€ |
Transistor a canale P, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9530. Transistor a canale P, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 500uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 860pF. Costo): 340pF. Tipo di canale: P. Diodo Trr (min.): 120ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (min): 100uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 88W. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 39 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.
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