Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V - STP75NF75

Transistor a canale N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V - STP75NF75
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Transistor a canale N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V - STP75NF75. Transistor a canale N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0095 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 3700pF. Costo): 730pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 132 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 320A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P75NF75. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 66 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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IRF3808

IRF3808

Transistor a canale N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID ...
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Transistor a canale N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0059 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 5310pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 93 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 550A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRF3808. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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Transistor a canale N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0059 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. C(in): 5310pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 93 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 550A. ID (min): 20uA. Marcatura sulla cassa: IRF3808. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 68 ns. Td(acceso): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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Transistor a canale N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (...
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Transistor a canale N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=100°C): 80A. ID (T...
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FQP13N10

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