Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - SPW11N80C3

Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - SPW11N80C3
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2 - 2 5.77€ 7.04€
3 - 4 5.47€ 6.67€
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Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V - SPW11N80C3. Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Carica gate ultra bassa". Id(imp): 33A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 156W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 3.9V. Vgs(esimo) min.: 2.1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.

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Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 11A, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=2...
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SPP11N80C3
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SPA11N80C3

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