Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - SPB32N03L

Transistor a canale N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - SPB32N03L
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25 - 49 0.85€ 1.04€
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Transistor a canale N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v - SPB32N03L. Transistor a canale N, 28A, 32A, 32A, 0.028 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 32A. Idss (massimo): 32A. Rds sulla resistenza attiva: 0.028 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 01:25.

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Transistor a canale N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C):...
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Transistor a canale N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Quantità per scatola: 1
NDB6030L
Transistor a canale N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Quantità per scatola: 1
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CEB6030L

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Transistor a canale N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C):...
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Transistor a canale N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET
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