Transistor a canale N, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V - IRFI840G

Transistor a canale N, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V - IRFI840G. Transistor a canale N, 0.85 Ohm 40W, TO-220-F, 2.9A, 4.6A, 250uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V, 500V. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohm 40W. Alloggiamento: TO-220-F. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 4.6A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.85 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 500V. Tensione drain-source (Vds): 500V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Corrente di assorbimento massima: 4.6A. Tipo di transistor: MOSFET. Protezione GS: diodo. Id(imp): 18A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 11:25.