Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - FQPF11N50CF

Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - FQPF11N50CF
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10 - 24 3.18€ 3.88€
25 - 49 3.11€ 3.79€
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Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V - FQPF11N50CF. Transistor a canale N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 1515pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 90 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Interruttore rapido, carica gate bassa 43 nC, Crss basso 20 pF. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 10uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 120ns. Td(acceso): 24 ns. Tecnologia: QFET ® FRFET ® MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 09:25.

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SPA11N80C3

SPA11N80C3

Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1...
SPA11N80C3
Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 33A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 41W. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
SPA11N80C3
Transistor a canale N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-220FP, TO-220FP-3-1, 800V. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.39 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP-3-1. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 1600pF. Costo): 800pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 550 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "DV/DT estremo Capacità effettiva ultra bassa". Protezione GS: NINCS. Id(imp): 33A. ID (min): 0.5uA. Marcatura sulla cassa: 11N80C3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 41W. Spec info: Pacchetto completamente isolato (2500 V CA/1 minuto). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 25 ns. Tecnologia: Cool MOS™ Power Transistor. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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SPW11N80C3
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SPP11N80C3
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SPP11N80C3
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NCP1203D60R2G

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RoHS: sì. Famiglia di componenti: Circuito integrato analogico. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD)....
NCP1203D60R2G
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RFT-6-3A
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RFT-2-5A

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Corrente continua massima: 2.5A. Tipo di fusibile: corpo cilindrico TR5 (Round Pack), da saldare su...
RFT-2-5A
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RFT-2-5A
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TEA2025B

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TEA2025B
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TEA2025B
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FQPF3N80C
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FQPF3N80C
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ZH7-06H
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VRRM: 800V. Corrente diretta (AV): 4A. Struttura dielettrica: Ponte di diodi. Materiale semicondutto...
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LNK304GN
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LNK304GN
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