Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

STPR1620CT

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1 - 4 1.20€ 1.46€
5 - 9 1.14€ 1.39€
10 - 24 1.08€ 1.32€
25 - 49 1.02€ 1.24€
50 - 99 0.99€ 1.21€
100 - 106 0.97€ 1.18€
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1 - 4 1.20€ 1.46€
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Set da 1

STPR1620CT. Raddoppiare: Raddoppiare. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 8A. Nota: ->l<-. Nota: ULTRA FAST. Nota: Ifsm--80A10mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. VRRM: 200V. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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MUR1620CT

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Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Fu...
MUR1620CT
Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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Struttura dielettrica: catodo comune. Diodo Trr (min.): 35 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Ultrafast SMPS. Corrente diretta (AV): 8A. IFSM: 100A. RM (max): 250uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AC. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 0.975V. Tensione diretta Vf (min): 0.895V. VRRM: 200V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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C(in): 1300pF. Costo): 300pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 75 ns. Tipo di transistor: MOSFET...
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C(in): 2040pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Protezione drain...
2SK2843
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2SB649A

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Costo): 27pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 140 MHz. Guadagno hFE...
2SB649A
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IRF640N

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C(in): 1160pF. Costo): 185pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 167 ns. Tipo di transistor: MOSFE...
IRF640N
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1.57€ IVA incl.
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Quantità in magazzino : 41
EC12E2424407

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Durata di vita: 15000 cicli. Corrente di commutazione: 0.5mA. Tipo di interruttore: codificatore rot...
EC12E2424407
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5.10€ IVA incl.
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MJE13007

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Costo): 80pF. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 14 MHz. Funzione: cir...
MJE13007
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CEL2200UF50V-B

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Tensione CC: 50V. Capacità: 2200uF. Diametro: 16mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 35.5mm. Co...
CEL2200UF50V-B
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