Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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SPB56N03L

SPB56N03L
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SPB56N03L. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET con controllo a livello logico. ID (T=25°C): 56A. Idss (massimo): 56A. Marcatura sulla cassa: 56N03L. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: SIPMOS Power Transistor. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-263 ( D2PAK ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 13/01/2025, 02:25.

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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1
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Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. Quantità per scatola: 1
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Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v
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Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Modalità di miglioramento del livello logico. Id(imp): 156A. ID (T=25°C): 52A. Idss (massimo): 52A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: Field Effect Power MOSFET. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 30 v
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