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Semiconduttori Transistor
FET e MOSFET a canale N

FET e MOSFET a canale N

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YTAF630

YTAF630

Transistor a canale N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo...
YTAF630
Transistor a canale N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1
YTAF630
Transistor a canale N, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1
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ZVN3306F

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Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). ...
ZVN3306F
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZVN3306F. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 6 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 35pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
ZVN3306F
Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SOT-23, 60V, 0.15A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SOT-23. Tensione drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.15A. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: ZVN3306F. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 2.4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 5 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 6 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 35pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.33W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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ZVNL120A

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Transistor a canale N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (massimo...
ZVNL120A
Transistor a canale N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (massimo): 0.18A. Rds sulla resistenza attiva: 10 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Quantità per scatola: 1
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Transistor a canale N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (massimo): 0.18A. Rds sulla resistenza attiva: 10 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Quantità per scatola: 1
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ZXMN7A11GTA

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Transistor a canale N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A...
ZXMN7A11GTA
Transistor a canale N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 70V. C(in): 298pF. Costo): 35pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (min): 0uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11.5 ns. Td(acceso): 1.9 ns. Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
ZXMN7A11GTA
Transistor a canale N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 70V. C(in): 298pF. Costo): 35pF. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 10A. ID (min): 0uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11.5 ns. Td(acceso): 1.9 ns. Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS
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