Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - ZVNL120A

Transistor a canale N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - ZVNL120A
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Transistor a canale N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - ZVNL120A. Transistor a canale N, 0.18A, 0.18A, 10 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. ID (T=25°C): 0.18A. Idss (massimo): 0.18A. Rds sulla resistenza attiva: 10 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 200V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.7W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET. Quantità per scatola: 1. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 07:25.

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Transistor a canale N, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (massimo): 0.3A. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 240V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: 9.31k Ohms. Quantità per scatola: 1
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Transistor a canale N, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (massimo): 0.3A. Rds sulla resistenza attiva: 2.3 Ohms. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio Vds(max): 240V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.8W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: 9.31k Ohms. Quantità per scatola: 1
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