Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.20€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.10€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.07€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.05€ |
100 - 157 | 0.75€ | 0.92€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.20€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.13€ |
10 - 24 | 0.90€ | 1.10€ |
25 - 49 | 0.88€ | 1.07€ |
50 - 99 | 0.86€ | 1.05€ |
100 - 157 | 0.75€ | 0.92€ |
Transistor a canale N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V - ZXMN7A11GTA. Transistor a canale N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3.8A. Idss (massimo): 1uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.13 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 70V. C(in): 298pF. Costo): 35pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 10A. ID (min): 0uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 11.5 ns. Td(acceso): 1.9 ns. Tecnologia: "MOSFET in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.
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