Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N5402

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1N5402. Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Numero di terminali: 2. Nota: GI. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.

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1N5408

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Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: sili...
1N5408
Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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Do: 40pF. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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BY255

BY255

RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Allog...
BY255
RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1.3 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Custodia (standard JEDEC): silicio. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V
BY255
RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 110A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 1.3 kV. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Tensione diretta Vfmax (V): 1.1V @ 3A. Custodia (standard JEDEC): silicio. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V
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Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: interasse 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: interasse 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms
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