Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N5402

1N5402
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10 - 24 0.34€ 0.41€
25 - 49 0.22€ 0.27€
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100 - 249 0.12€ 0.15€
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1N5402. RoHS: sì. Famiglia di componenti: diodo raddrizzatore standard. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: DO-201. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 3A. Ifsm [A]: 200A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.2V @ 3A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 200V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 10uA. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Prodotto originale del produttore Diotec. Quantità in stock aggiornata il 12/08/2025, 14:08.

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1N5408

1N5408

Alloggiamento: DO-201. VRRM: 1000V. Corrente raddrizzata media per diodo: 3A. Tipo di diodo: diodo r...
1N5408
Alloggiamento: DO-201. VRRM: 1000V. Corrente raddrizzata media per diodo: 3A. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1.0V / 3A. Tipo di montaggio: THT. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Serie: 1N54
1N5408
Alloggiamento: DO-201. VRRM: 1000V. Corrente raddrizzata media per diodo: 3A. Tipo di diodo: diodo raddrizzatore. Configurazione del diodo: indipendente. Tensione diretta (massima): <1.0V / 3A. Tipo di montaggio: THT. Tempo di recupero inverso (max): 1500ns. Serie: 1N54
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BY255

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VRRM: 1300V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda t...
BY255
VRRM: 1300V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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VRRM: 1300V. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 100A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9x5.2mm ). RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB
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1N5406

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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-2...
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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1N5406H

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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: interasse 15mm. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 600V. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Nota: interasse 15mm. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V
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TRAFO9V-6-0
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