Qnéuantità (Set da 10) | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 1.13€ | 1.38€ |
2 - 2 | 1.08€ | 1.32€ |
3 - 4 | 1.02€ | 1.24€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.17€ |
10 - 24 | 0.91€ | 1.11€ |
25 - 28 | 0.79€ | 0.96€ |
Qnéuantità (Set da 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.13€ | 1.38€ |
2 - 2 | 1.08€ | 1.32€ |
3 - 4 | 1.02€ | 1.24€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.17€ |
10 - 24 | 0.91€ | 1.11€ |
25 - 28 | 0.79€ | 0.96€ |
1N5406H. Do: 40pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 5us. Materiale semiconduttore: silicio. Corrente diretta (AV): 3A. IFSM: 200A. RM (max): 500uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-27. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Temperatura di funzionamento: -65...+175°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.1V. Tensione diretta Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Numero di terminali: 2. Nota: interasse 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 15:25.
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