Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N4935

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10 - 24 0.50€ 0.61€
25 - 49 0.49€ 0.60€
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1N4935. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO41. VRRM: 200V. Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Spec info: 30App/8.3ms. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.

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RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). A...
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RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.2V @ 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 600V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..100uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 200 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
1N4937
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Famiglia di componenti: Diodo raddrizzatore veloce (tr<500ns). Alloggiamento: saldatura PCB. Custodia (standard JEDEC): DO-204AC. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 2. Corrente diretta [A]: 1A. Ifsm [A]: 33A. Tensione diretta Vfmax (V): 1.2V @ 1A. Tensione di chiusura (ripetitiva) Vrrm [V]: 600V. Corrente di dispersione in chiusura Ir [A]: 5uA..100uA. Velocità di commutazione (tempo di rigenerazione) tr [sec.]: 200 ns. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C
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FR103

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41...
FR103
Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori a recupero rapido". RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V
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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori a recupero rapido". RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V
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