Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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1N4935

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1N4935. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO41. VRRM: 200V. Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Spec info: 30App/8.3ms. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. Prodotto originale del produttore Diodes Inc.. Quantità in stock aggiornata il 06/06/2025, 18:25.

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1N4937
Alloggiamento: DO-41. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 600V. RoHS: sì. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V
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FR103

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Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. VRRM: 200V. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori a recupero rapido". RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Spec info: 30App/8.3ms. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V
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