Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati

FR103

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FR103. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: "Raddrizzatori a recupero rapido". Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 150uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms. Quantità in stock aggiornata il 12/01/2025, 19:25.

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RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Ca...
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RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
1N4937
RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Do: 15pF. Quantità per scatola: 1. Struttura dielettrica: Anodo-Catodo. Diodo Trr (min.): 200 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. Numero di terminali: 2. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Custodia (secondo scheda tecnica): DO-41 ( DO-204AL ). Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.2V. Tensione diretta Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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1N4935

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Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida...
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Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO41. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms
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Do: 15pF. Diodo Trr (min.): 150 ns. Materiale semiconduttore: silicio. Funzione: Commutazione rapida per un elevata efficienza. Corrente diretta (AV): 1A. IFSM: 30A. RM (max): 100uA. RM (min): 5uA. RoHS: sì. Alloggiamento: DO-41. Custodia (secondo scheda tecnica): DO41. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di soglia Vf (max): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms
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