Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V - MMBTA42

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V - MMBTA42
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V - MMBTA42. Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Transistor amplificatore ad alta tensione (versione SMD del transistor MPSA42). Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Nota: 1D. Marcatura sulla cassa: 1D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 240mW. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MMBTA92. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Prodotto originale del produttore Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 16:25.

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MPSA42

MPSA42

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: T...
MPSA42
Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Equivalenti: KSP42. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V
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Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 (ammo pak). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. Costo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: Amplificatore VIDEO. Guadagno hFE massimo: 40. Guadagno hFE minimo: 25. Equivalenti: KSP42. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.625W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) MPSA92. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione di saturazione VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V
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SMBTA42

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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento:...
SMBTA42
Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(in): 11pF. Costo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: amplificatore ad alta tensione, versione SMD di MPSA42. Guadagno hFE minimo: 25. Nota: transistor complementare (coppia) SMBTA92. Marcatura sulla cassa: s1D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD S1D. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente del collettore: 0.5A. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 300V. Diodo BE: NINCS. C(in): 11pF. Costo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: amplificatore ad alta tensione, versione SMD di MPSA42. Guadagno hFE minimo: 25. Nota: transistor complementare (coppia) SMBTA92. Marcatura sulla cassa: s1D. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.36W. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD S1D. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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MFR1-4W-E96-357K
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