Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU808DFX-PMC

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU808DFX-PMC
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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - BU808DFX-PMC. Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistenza BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. Ic(impulso): 10A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 3. Funzione: hFE 60...230, custodia in plastica isolata. Spec info: tempo di caduta 0,8 us. Quantità in stock aggiornata il 21/04/2025, 18:25.

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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custo...
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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistenza BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)
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Transistor NPN, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente del collettore: 8A. Custodia (secondo scheda tecnica): ISOWATT218FX. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 700V. Alloggiamento: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistenza BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sì. Materiale semiconduttore: silicio. FT: kHz. Guadagno hFE massimo: 230. Guadagno hFE minimo: 60. Ic(impulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 62W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tf(massimo): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V. Quantità per scatola: 2. Numero di terminali: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)
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