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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V - BF450

Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V - BF450
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Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V - BF450. Transistor NPN, saldatura PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-92. Custodia (standard JEDEC): TO-226AA. Tensione collettore-emettitore Uceo [V]: 40V. Corrente collettore Ic [A], max.: 25mA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92 ( SOT-54 ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Famiglia di componenti: transistor NPN. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: BF450. Frequenza di taglio ft [MHz]: 350 MHz. Dissipazione massima Ptot [W]: 0.3W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -65°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Prodotto originale del produttore Philips Semiconductors. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 04:25.

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Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: Stadi HF e IF nei ricevitori radio. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v
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Transistor NPN, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente del collettore: 25mA. Alloggiamento: TO-92. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-92. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 350 MHz. Funzione: Stadi HF e IF nei ricevitori radio. Guadagno hFE massimo: 90. Guadagno hFE minimo: 30. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300mW. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tecnologia: Transistor planare epitassiale . Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v
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