Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V - BD678A

Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V - BD678A
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V - BD678A. Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 60V. Resistenza B: sì. Diodo BE: NINCS. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Diodo CE: sì. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10 MHz. Guadagno hFE minimo: 750. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Spec info: transistor complementare (coppia) BD677A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 07:25.

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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126F. Cust...
BD680A
Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 14W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126F. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sì. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 10MHz. Funzione: Potenza lineare e commutazione. Guadagno hFE minimo: 750. Ic(impulso): 6A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 14W. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BD679A. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V
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RD2D226M10016PA159

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RD2D226M10016PA159
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Tensione CC: 35V. Capacità: 100uF. Diametro: 8mm. Durata di vita: 2000 ore. Lunghezza: 12mm. Config...
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Transistor NPN, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Corrente del collettore: 4A. Alloggiamento...
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