Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V - BD241C

Transistor NPN, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V - BD241C
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Transistor NPN, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V - BD241C. Transistor NPN, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Alloggiamento: TO-220. Tensione collettore-emettitore VCEO: 100V. Corrente del collettore: 3A. Corrente del collettore: 5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Tipo di transistor: transistor di potenza NPN. Polarità: NPN. Potenza: 40W. Frequenza massima: 3MHz. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 8A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD242C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.

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TIP32C

TIP32C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
TIP32C
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Costo): 160pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: PNP TRANS 100V 3. Data di produzione: 201448. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP31C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
TIP32C
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 115V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 115V. Costo): 160pF. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: PNP TRANS 100V 3. Data di produzione: 201448. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: PNP. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Spec info: transistor complementare (coppia) TIP31C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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BD241C-ST

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Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custod...
BD241C-ST
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD242C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
BD241C-ST
Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente del collettore: 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 100V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 3 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 25. Guadagno hFE minimo: 10. Ic(impulso): 5A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD242C. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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