Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V - BD139-CDIL

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V - BD139-CDIL
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V - BD139-CDIL. Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente del collettore: 1.5A. Alloggiamento: TO-126F. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126 plastic. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 40. Ic(impulso): 2A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 06:25.

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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente del collettore: 1.5A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-126. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 80V. Alloggiamento: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sì. Resistenza B: sì. Resistenza BE: saldatura PCB. C(in): TO-126. Costo): SOT-32. Quantità per scatola: 1. Materiale semiconduttore: silicio. FT: 50 MHz. Funzione: NF-L. Guadagno hFE massimo: 250. Guadagno hFE minimo: 100. Ic(impulso): 3A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 12.5W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensione di saturazione VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementare (coppia) BD140-16. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS
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